IGBT驅動電源

半導體驅動電源係（xì）列（IGBT/SiC/GaN），該係列具備超小隔離電容，響應速度塊，內部采用了非對稱式電壓輸出方式，能夠有效減小半導體器件的驅動（dòng）損耗。具備高效率、輸入電壓寬範圍、輸出正負雙（shuāng）向電壓（yā）、集成短路（lù）保護等多種保護的（de）特點。
產品特點（diǎn）：
1、隔離電（diàn）壓：5000VAC（加強絕緣（yuán））
2、工作（zuò）溫度範圍: -40℃ to +105℃
3、低漏電流